Új hozzászólás Aktív témák
-
Abu85
HÁZIGAZDA
De az nyilván ezeknek a szakembereknek belefér, hogy az egyik 4 nm-esnek mondott Samsung node képességei leginkább a 6 nm-es TSMC node-hoz hasonlíthatók, míg a másik kettő, valóban 4 nm-es node képességei jelentősen jobbak, valamennyivel az 5 nm-es TSMC node előtt vannak.
Ha ezeknek a szakembereknek lenne bármi beleszólása, akkor se az Intelét, se a Samsungét nem engedték volna. De mivel nincs, így az egyik cég hazugsággal követi le a másik cég hazugságát.
[ Szerkesztve ]
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
Abu85
HÁZIGAZDA
Hát ki nevezte át a gyártástechnológiáit?
#8 Petykemano : Az Intel 7 az ugye a 10 nm, és arra van egy olyan adat, hogy a Spring Hill, ami ugye az Intel 10 nm-es node-ján készül 35 millió tranyó/mm2-es dizájn. Ez nagyjából megfelel a TSMC 12 nm-es node-jának. A 7 nm-es TSMC-től mérföldekre van. Nagyrészt az Intel gondjai a szerverpiacon abból erednek, hogy iszonyatosan messze vannak a gyártástechnológiáik attól, amit a TSMC tud biztosítani az AMD-nek, és ezen nyilván semmit sem segített, hogy a 10 nm-t átnevezték Intel 7-nek.
[ Szerkesztve ]
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
Abu85
HÁZIGAZDA
válasz
Busterftw
#14
üzenetére
Az Intel 14 nm-es node-ja nem bír jobb értékekkel, mivel az erre épülő lapkák, amikor még megadták a tranyószámot, 15 millió tranyó/mm2-rel dolgoztak.
Itt azt keveritek össze, hogy az Intel hoz egy adatot egy szimpla gyűrűs oszcillátorról, aminek a töredékét tudja egy komplex lapkaként az adott node. Ez jól látszik amúgy a TSMC korábbi adatainál is, mert régen csináltak egy ARM tesztlapkát és egy gyűrűs oszcillátort. Utóbbival mindig legalább dupla akkora volt a tranyósűrűség, mivel a gyűrűs oszcillátor egy jól skálázható elem.
A valóság az, hogy itt nem a TSMC és a Samsung füllent, és ez jól ellenőrizhető azokkal a lapkákkal, amelyekre meg van adva a tranzisztorszám. Nyilván az Intel okkal nem adja meg mindre, mert ugye nem nagyon akarják ők, hogy ezeket hasonlítgassák a TSMC és a Samsung node-ok valós lapkáinak tranzisztorszámához. Legalább másfél generáció hátrányuk van itt.[ Szerkesztve ]
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
Abu85
HÁZIGAZDA
válasz
Busterftw
#16
üzenetére
Hol? Én hoztam adatokat valós lapkákból. Az alapján a 14 nm-es Intel node még a 16 nm-es TSMC node-ot sem igazán közelíti meg. Ha úgy érzed, hogy ez nem igaz, akkor hozzál bizonyítékot rá egy valós lapkáról, ne egy gyűrűs oszcillátorról.
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
#21
Petykemano
veterán
Busterftw
#20
Petykemano
veterán
válasz
Busterftw
#20
üzenetére
Borítékolom a választ Abutól:
"Ezek csak névleges értékek, amiket gyűrűs oscillátoron mértek"És abban Abunak igaza van, hogy egy ideje a valós intel chipek TR mennyisége nem ismert, és így nem lehet valós MTR/mm2 értéket számolni.
De hát gondolom az össze bérgyártó névleges értéke gyűrűs oscillátoron mért eredmény.
Tehát szerintem az Intel részéről ez egy korrekt korrekció volt:
A tényleges lapkák tranzisztorsűrűsége meg sokmindentől függ. Biztos nem mindegy, hogy milyen elemből mennyit pakolsz és az sem, hogy milyen library-t használsz
Az Apple lapkái például nagyon megközelítették a TSMC névleges sűrűségét 7nm-en.
Az AMD ~95 helyett 40-60 között mozgott. De láthatod, hogy csak SRAM-ot tartalmazó v-cache lapkák esetén majdnem kétszer annyi kapacitást tudtak belerakni ugyanakkora területbe.Én persze csak egy hülye laikus vagyok és Abu biztos kétszer annyi információval rendelkezik, de nekem nem tűnik úgy, hogy abban az értelemben le lennének maradva, hogy amit 7nm kategória (Intel 7) alatt árulnak az valójában másfél generációval elmarad ahhoz képest, amit a TSMC/SS ugyanezen kategóriában kínál.
Az viszont igaz, hogy eközben a TSMC már 1 éve tömeggyárt N5-ön és jövőre érkeznek termékek N4-en, miközben az intelnél még csak most pörög föl a 7nm-es kategória. Tehát így értelmezve a másfél generációs lemaradás szerintem helytálló megállapítás.
Én továbbra is azt gondolom, hogy a Samsung úgy játszik a besorolásokkal, hogy azt azért - persze gyűrűs oscillátoron mérve - alá tudja támasztani MTR/mm2 értékekkel.
Viszont minden más aspektusból a Samsung gyártástechnológiája rosszabb:Itt van egy kis összehasonlító táblázat
A középső 2 sort érdemes nézni ahol a TMSC N6-on készült middle magok ~200mhz-cel magasabb frekvencia mellett láthatóan kevesebbet fogyasztanak, mint a Samsung 5LPE gyártástechnológián készült magok.Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..
-
#23
Petykemano
veterán
Busterftw
#22
Petykemano
veterán
válasz
Busterftw
#22
üzenetére
"Egyertelmuen a TSMC/Samsung szaladt elore a nevezektannal, hence ok kezdtek ezt."
Igen, az ugrás egyértelműen a 20nm-nél történt.
Ha jól emlékszem (elnézést, ha tévedek) az Intel 32nm-e planar volt még, viszont a 22nm önmagában is kisebb tranzisztorsűrűséget jelentett, de már finfet.
A TSMC (és a SS) viszont planar 20nm-t csináltak, ami végül nagyon kevéssé volt használható. És akkor itt jött a varázslás, hogy a 20nm BEOL-ra húzták fel a Finfet FEOL-t (gondolom ez valami olyasmit jelent, hogy valójában a tranzisztorsűrűség nem nőtt, csak már nem planar tranzisztorokat használtak, hanem finfetet) és ezt aztán elnevezték 16/14nm-nek.Tehát valahogy úgy lehetett, hogy a tényleges tranzisztorsűrűség a következők között lehetett hasonló:
- intel 22nm és a TSMC/SS 16/14nm
- Intel 14nm és TSMC/SS 10nm
- Intel 10nm és TSMC/SS 7nm
és el is jutottunk a nevezéktan kiigazításának pontjára.Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..
Új hozzászólás Aktív témák
ph A Samsung 4LPX-re nevezte át a korábban 5LPP jelzéssel futó node-ot.
