Új hozzászólás Aktív témák

• #24 asenti csendes tag G.A. #22

  Új Válasz 2009-08-15 00:39:35 #24

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  asenti

  csendes tag

  válasz G.A. #22 üzenetére

  Semmiképp sem egyenlő a FeDRAM a FeRAM-mal.
  A FeRAM-nak nincs szüksége frissítésre az adatok megőrzéséhez.

  Ráadásul a FeRAM már kereskedelmi forgalomban is kapható, még Magyarországon is: [MSC Budapest FeRAM árlista]

  Answ

• #33 asenti csendes tag G.A. #31

  Új Válasz 2009-08-15 21:37:18 #33

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  asenti

  csendes tag

  válasz G.A. #31 üzenetére

  A FeRAM azért nagyszerű, mert sebességben olyan mint az SRAM és mellette nem felejti el a tartalmát, ha lekapcsolják (mint a FLASH). Jelenleg erre a célra lítium elemes SRAM-ot alkalmaznak (NVRAM), ami csak bizonyos ideig nyújtja ezt (amíg az elem le nem merül, mondjuk 10-20 évig). Az SRAM azért jobb a DRAM memóriáknál, mert mindenféle bonyolult vezérlés (mindig frissíteni kell, sor/oszlopváltás, burst mód stb) nélkül nyújt nagyon gyors, nagyon kis késleltetésű (azonnali) elérést az adatokhoz. Például mikrokontrollerek esetén szinte kizárólag SRAM-ot használnak, a processzorok belsejében is SRAM a cache.

  Csakhogy az SRAM az drága, mert nem tudják nagyon miniatürizálni, egyszóval kicsi a sűrűség. Ezért van az, hogy a drága szerver processzorok 2x-8x annyi cache-t tartalmazhatnak, mint az olcsóbb asztali változatok (és ezáltal gyorsabbak is).

  A FeRAM-ból elméletben készíthető nagyobb kapacitás, olcsón, tehát nő a sűrűség mindig, de még egyelőre bőven elmarad a FLASH-hez képest. A FeDRAM pedig gondolom nem más mint egy jó nagy sűrűségű FeRAM, amelyet csak úgy tudnak elérni, hogy feláldozzák némileg a FeRAM-nak az adat megtartási tulajdonságát és már azzal is megelégednek, ha töredékére tudják csökkenteni a frissítések szükségességét (ami a DRAM sebességét/fogyasztását jelentősen befolyásolja).

  Azt egyébként a cikk ügyesen nem említi, hogy meddig is tud működni a FeDRAM-juk.. Ugyanis ezek nem örök életűek, ráadásul az olvasás is ront mindig a FeRAM állapotán, mert írni kell ahhoz hogy olvassunk. A FLASH esetén ugye olvasás nem ront, de ott is írni maximum 1'000-100'000 alkalommal lehet egy területet (extra olcsó MCU-k esetén van az 1'000, olcsóbb pendrive-ok esetén a 10'000, drágább penek és SSD-k esetén a 100'000). A FeRAM esetén hála Istennek ez a szám sokkal nagyobb, ma már 100 millió felett van, ami egy mikrokontroller esetén bőven elég, de problémás lehet, ha esetleg nagy sebességen üzemel egy szerverben majd a FeDRAM-juk és állandóan olvassák/változtatják.

  Answ

• #37 shabbarulez őstag G.A. #36

  Új Válasz 2009-08-17 01:42:56 #37

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  shabbarulez

  őstag

  válasz G.A. #36 üzenetére

  Az FeRAM nem igazán lesz az SRAM utódja, maxumim olyan speciális SoC termékek esetén ahol eddig is fontos volt ezen memória terület nem felejtő jellege. De ezek speciális területen, nem igazán mainstream felhasználás. FeRAM lassan tíz éve a piacon van, de nem alakult ki tömeges elterjedése, mert nagyon nagy a cella mérete, ezért így egységnyi területen kevés memória építhető ki belőle, így nem igazán költséghatékony megoldás. A februári ISSCC-n a Toshiba mutatott be 128Mb-es FeRAM chipet. Ez igen messze esik a hasonlóan nem felejtő NAND flash 32 vagy 64Gb-es chipektől, épp ezért nem lehetnek költséghatékony leváltói.

  Ez az új FeDRAM, ahol elveszti a cella nem felejtő jellegét jóval kisebb cella méretet is eredményez. Eddig azért volt nagy a cella mert vastag szigetelő réteg kellett ahhoz hogy nem felejtő változat jöhessen létre, de a dinamikus kialakításnál ezt a jelleget feladják így a cella méret alaposan lecsökken. Így sokkal nagyobb bitsűrűség érthető el egységnyi felületen jóval közelebb kerülve a DRAM chipek 1-2Gb-es értékéhez, de azért még mindig távol a NAND flashek 32/64Gb-es értékétől, igaz ezeknek már úgysem konkurenciái, azáltal hogy elvesztették a nem fejeltő jellegüket.

  A 6T SRAM utódja cache-ek esetén 22 nm környéként többféle megoldás is lehet majd. Az Intel saját fejlesztése a fastDRAM, amiről ISSCC-k alkalmával lehetet pár kósza slideot látni. Az AMD eddig a ZRAM-ot licencelését preferálta, amit kisebb startup cégek fejlesztettek, de tavaly dobták ezt a vonalat és az új felkarolt a TRAM(thyristor) lett, most már ennek licencelése került előtérbe a 22nm-es roadmapon.

  Az 1Gb körüli NOR flash vagy DRAM chipek potenciális utódja a PRAM lehet(phase chage). Ezen a téren az Intel-STM vegyesvállalat Numonyx és a Samsung az élenjáró, ráadásul ez két igen erős cég is. A Numonix eddig is mutatott már be PRAM-ot, jővőre pedig 1Gb-es 45nm-es változat bemutatását tervezi és a Samsung is 1Gb-re felé akar tovább lépni. Ráadásul a két nagy cég együttesenidén elkezdte egy közös szabványos csatlakozó felület kidolgozását. Ezek a csatlakozók NOR flash és LPDDR2 szabványhoz készülnek, ami jól mutatja hova gondolja a két cég a PRAM jővőbeli felhasználását. Az egyik alternatíva a NOR flash jővőbeli leváltása, a másik egy alacsony fogyasztású dinamukus memóriát leváltó nem felesztő alternatíva. Mindkét felhasználási kör elsődleges a mobil eszközökre koncentrálna, ahol ezek a potenciális felhasználások. Minkét cégnek jelentős érdekeltsége van abban hogy jővőbeli mobil termékeiknél a PRAM képbe kerülhessen, ezen kívül a Nokia is erősen érdeklődik akinek Intel termék fronton szintén van egy kötődése. Optimális esetben 2011 felé akár lehetnek is olyan mobil termékek, amikben a PRAM megjelenik.

  Ezen a területen lehet egy jővőbeli alternatíva az FeDRAM is. Olyan területen ahol a nem felejtő, még energia takarékosabb megoldás lehet fontos, pl. a mobil termékek a PRAM jobb megoldás lehet, de ahol a dinamikus megoldás is jó alternatíva ott az FeRAM is teret nyerhet. Bár a lemaradása igen nagy a PRAM-hoz képest, de ha pl. bitsűrűség vagy sebesség terén sokkal jobb jellemzőket tudna felmutatni, akkor még lehetne piaca ahol megvetheti a lábát.

  A NAND flashek potenciális utódjának ma inkább az RRAM(resistive)-ot tekintik. Itt is többféle megoldás van képben. A legutóbbi jelentősebb bejelentés a Unityé volt, ők jővőre mutatnak majd be egy 64Gb-es chipet amiből 2011-re akár termék is lehet. Bitsűrűségben a megoldásuk jobbnak ígérkezik a NAND-nál és írási sebességben is sokkal jobbak a jellemzői. A Unity egy startup cég, ahol potenciális gyártó partnerként már felmerült az Intel-Micro közös vállalata az IMFlash.

  Szóval mint a cache memóriaként használt SRAM, mint a rendszer memóriaként használt DRAM és a nem felejtő NOR/NAND flash esetén is képben vannak potenciális utód technológiák amiket hosszú ideje fejlesztenek és előbb-utóbb beérhetnek.

  Zajlanak fejlesztések egy úgynevezett univerzális memória megoldásra is, ami kvázi mindenféle alkalmazási területen egységesen használható lenne. De ez kvázi olyan mint a szent grál esete, igen csekély a valószínűsége annak hogy ez valaha is megvalósul. Az egyes memória típusok teljesen eltérő felhasználási területetre születnek, egészen mások az elvárások amiknek meg kell felelniük. Nehéz lenne olyat találni ami az összes megoldás jó tulajdonságait egyesití, úgy hogy közben az összes negatív tulajdonságuk pedig mellőzhető, miközben teljesen más felhasználási körbeli, akár egymásnak teljesen ellentmondó fontossági tulajdonságoknak kellene megfelelniük.

Új hozzászólás Aktív témák