Az Advanced Micro Devices újabb gyártástechnológiai fejlesztésekkel növeli processzorainak teljesítményét. A sunnyvale-i chipgyártó a 90 nanométeres – illetve a negyedév során megjelenő 130 nanométeres – csíkszélességű Athlon 64 és Opteron lapkákban a silicon on insulator (SOI) technológiát az ún. feszített szilícium (strained silicon) megoldással kombinálja – írja a The Semiconductor Reporter beszámolójára hivatkozva a CNET. Az előbbi a fogyasztás csökkentését, az utóbbi pedig a teljesítmény növelését segíti elő.

Amint az ismert, a sorozatgyártásban elsőként az Intel Prescott esetében alkalmazott – és a SOI-hoz hasonlóan az IBM által kifejlesztett – feszített szilícium technológia hátterében az a felismerés áll, hogy egyes ásványok atomjai természetüknél fogva idomulnak egymáshoz. Amennyiben szilíciumot helyeznek egy lazább atomi szerkezetű hordozóra (mint amilyen szilícium-germánium), a szilícium atomjai idomulnak a hordozóéihoz, és lazább szerkezetbe rendeződnek, így pedig a töltéshordozók akadálytalanabbul, gyorsabban áramolhatnak a csatornában. Az Intel adatai szerint a feszített szilíciumot használó tranzisztorok teljesítménye 10-20 százalékkal nő.

Az AMD ugyan részleteket nem árult el saját feszített szilícium megoldásáról, annyit tudni lehet, hogy az IBM és az Intel implementációjától eltérően lokalizált – csupán a chip egyes részeit érintő – megvalósításról van szó. A vállalat egyelőre arról sem nyilatkozott, hogy processzorai esetében hasonló tranzisztorteljesítmény-növekedés várható-e a technológia alkalmazásától, mint amilyenről az Intel beszámolt.

Az AMD általában negyedévente végez kisebb-nagyobb módosításokat a lapkáit alkotó tranzisztorokon, és ezeket nem köti a nagyobb gyártástechnológiai ugrásokhoz – mondta Rob Keosheyan szóvivő az ExtemeTech-nek. A kombinált technológia ezért jelenik meg a 130 nanométeres processzorokban is, nem csupán az újabb, 90 nanométeres chipekben.