Szeptemberben számoltunk be arról, hogy saját lábra áll Kína memóriagyártása, ugyanis a Changxin Memory Technology elkezdte gyártani a 18 nm-es DRAM lapkáit. Ezt valójában 10G1 eljárásként emlegetik, ami a 10 nm-es osztályra utal, és mára kiderült, hogy később még két ilyen osztályú node készül 10G3 és 10G5 jelzéssel.
Hirdetés
Ezek nagyon lényegesen lesznek ahhoz, hogy a Changxin Memory Technology a jelenlegi DDR4 mellett más szabványú memóriákat is gyártson, ugyanis már fejlesztés alatt állnak az LPDDR4X-es, a DDR5-ös és a LPDDR5-ös, valamint a GDDR6-os lapkák. Az utóbbi csak a 10G5 node-on fog készülni, de a többi megoldás korábban érkezik.
A jelenlegi útiterv szerint a 4 és 8 gigabites DDR4-es memóriachipeket jövőre egészíti majd ki az első LPDDR4X-es fejlesztés, egyelőre még a 10G1 node-on, de ezekből a megoldásokból készül 10G3-as revízió is, ami a költségcsökkentést célozza majd.
A hosszabb távú tervek tekintetében a gyártókapacitás bővítése kritikus szempont. Egyelőre a Fab 1-es üzemben történik a fejlesztés és a gyártás is, utóbbi szempontból havi negyvenezer wafert megmunkálását tudja jelenleg garantálni a cég. Mellé viszont épül még egy Fab 2-es és egy Fab 3-as üzem is, így egy igen nagy gyárkomplexum jön majd létre.
A termelés bővítése szempontjából a Changxin Memory Technology, a következő év végére el akarja érni a 120 ezer wafer feldolgozását, méghozzá egy hónapra levetítve, nagyjából erre a kapacitásra van tervezve a Fab 1-es gyár. A gyártástechnológia szempontjából a 10G1 és a 10G3 jelölésű node lesz használva.
