Új hozzászólás Aktív témák

  • PHM

    addikt

    válasz paprobert #39 üzenetére

    A fő probléma az elektronszivárgás, amin nem segít semmilyen árnyékolás.
    Minden írás alkalmával kvázi át kell lőni az elektronokat a szigetelőrétegen,
    amitől az idővel degradálódik. Na most, minél vékonyabb ez a réteg,
    annál kevesebb írást visel el tönkremenés nélkül.
    Ehhez jön még, hogy nem 2 állapotot, hanem 4-8-16 feszültségszintet
    kell megkülönböztetni 1-1 cellánál.
    Nem véletlen, hogy a Samsung nagyobb csíkszélességre tért át
    a VNAND chipjeinél.
    UV sugárzással az EPROM-okat lehet törölni egyébként, ezért volt
    rajta az ablak. A mágneses térerőre szerintem immunisak a flash
    tárolók, és a rádiófrekvenciás zavarok is legfeljebb extrém esetben
    okozhatnak problémát.

    Ma olyan bizonytalan vagyok... Vagy mégsem?

Új hozzászólás Aktív témák