Az Intel tegnap bejelentette, hogy kidolgozta 32 nanométer csíkszélességű gyártástechnológiáját, melynek technikai részleteit a jövő héten San Franciscóban megrendezendő International Electron Devices Meeting (IEDM) rendezvényen, a félvezetőipar legnagyobb éves konferenciáján ismerteti. Egyelőre a vállalat csak annyit közölt, hogy az új eljárás kulcselemei a 45 nanométeren bevezetett magas k állandójú (high k) dielektrikumból készült kapuoxid és fém kapuelektróda újabb generációja, a feszített szilícium technológia továbbfejlesztése és a 193 nanométer hullámhosszú fényt használó immerzív litográfia.

Mivel az eljárás készen van, az új csíkszélesség bevezetése az agresszív gyártástechnológiai ütemtervnek megfelelően 2009 negyedik negyedévében meg fog kezdődni – közölték. Amint az ismert, az Intel az ún. tikk-takk stratégia szerint minden páros évben egy új processzorarchitektúrával, minden páratlan évben pedig ennek kisebb csíkszélességgel gyártott változatával áll elő. Jövőre a gyártástechnológia ugrás esedékes: ekkor kell megjelennie az idén bemutatott Nehalem kódnevű architektúra 32 nanométeres zsugorításának, a Westmere-nek.

Az Intel közleménye azt állítja, hogy az általuk kifejlesztett 32 nanométeres technológia az iparágban a legfejlettebb: hasonló tranzisztorsűrűséget és tranzisztorteljesítményt más nem tud felmutatni.