Az Intel – a világon elsőként – a hét elején üzembe állított egy extrém ultraibolya (EUV) litográfiai berendezést hillsboroi kísérleti üzemében. Az új technológia alkalmazására azért van szükség, mert a jelenlegi félvezetőgyártó eszközökkel néhány év múlva már nem lehet tovább zsugorítani a chipeket alkotó tranzisztorokat. Az EUV az Intel tervei szerint 2009-től alkalmazható majd lapkák tömeggyártására, ekkor a vállalat 32 nanométeres csíkszélességnél jár majd – jelenleg a legkorszerűbb technológia 90 nanométeres.

A félvezető áramkörök gyártása során fotolitográfiai berendezésekkel alakítják ki az áramkör rajzolatát hordozó maszkok átvilágításával a lapka egyes rétegeinek mintázatát, azaz magukat az áramköri elemeket. Hogy a félvezetőgyártás nem olcsó mulatság, jól illusztrálja e készülékek borsos, esetenként 15 millió dollárt is meghaladó ára. Szemben a ma korszerűnek számító, 193 nanométer hullámhosszú fénnyel dolgozó litográfiai berendezésekkel az EUV-eszközök 13,5 nanométer hullámhosszú fényt használnak. Az új technológia kezdetben 30, néhány éven belül azonban akár 15 nanométeres áramkörök rajzolását is lehetővé teszi. Összehasonlításként: az Intel gyártósorain jelenleg elérhető legkisebb struktúraméret 50 nanométer.

Az új eszköz egyelőre az EUV-technológiával való ismerkedést szolgálja: az Intel kutatói a tömeggyártás során várható nehézségek megoldására fókuszálnak. A vállalat egyben a berendezéshez szükséges maszkok kialakításához – a világon ugyancsak elsőként – egy EUV-maszkokat készítő tesztgyártósort is üzembe állított.